按时间归档：2021年

40V/200A,Low RDS (ON)，Planar Technology，Reliable and Rugged Synchronous Rectification, High efficiency DC/DC Converters

600V/30A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT，电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

600V/6A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。IGBT 驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。

信号高电平有效，兼容 3.3V 和 5V的 MCU，优化并采用了低电磁干扰设计，内置自举二极管，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压 1500V。

600V/10A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。 温度检测：负温度系数热敏电阻检测输出。

信号高电平有效兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 下臂 MOSFET 源极输出，内置自举二极管，内置防直通保护，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压 1500V

600V/20A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。

600V/15A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。IGBT 驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。下臂 IGBT 发射极输出，内置自举二极管。

用途：风扇，电动工具，产品特性：信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU，下臂MOSFET源极输出，内置自举二极管，内置防直通保护，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压1500V。

8位、32位单片机代理商深圳四强科技分享资讯：“国产MCU现状。”中国每年的MCU市场容量达到400亿元左右，国产MCU目前总的市场占有率还不到5%，产品也主要是聚焦在中低端领域，高端领域自给率几乎为零。根据他的观点这主要由以下原因造成的： 第一：芯片的研发周期长，整机的生命周期长，厂商不需要总是更换芯片，现在用的芯片是五到十年前的平台； 第二，MCU属于主动器件，在汽车、家电、工业设备等领域，MCU的价格虽然很低，但由于所用MCU芯片的价格占整机成本的比例非常小，因此这些行业的用户对采用国产M…