• Super Trench MOSFET

    Super Trench MOSFET

    30V/30A,RDS=10mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS=15mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM) SGT Technology Fast Switching Spee100% avalanche tested

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
  • Trench MOSFET N+P沟道

    Trench MOSFET N+P沟道

    N-Channel30V/7A,RDS=19mΩ(Typ.) @ VGS=10V,RDS=27mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VPChannel,-30V/-5ARDS=38mΩ (Typ.) @ VGS=-10V,RDS (ON) =53mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V,Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses,Low Capacitance to Minimize Driver Losses

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
  • Trench MOSFET P沟道

    Trench MOSFET P沟道

    -60V/-2A,RDS=150mΩ(Typ.)@VGS=-10VRDS=210mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V,Low RDS,Super High Dense Cell Design,Reliable and Rugged

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
  • Trench MOSFET N沟道

    Trench MOSFET N沟道

    20V/3A,RDS=43mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,RDS=55mΩ(Typ.)@VGS=2.5V,Low RDS (ON),Super High Dense Cell D

    冠禹 MOSFET 2021年12月23日
  • Planar MOSFET

    Planar MOSFET

    40V/200A,Low RDS (ON),Planar Technology,Reliable and Rugged Synchronous Rectification, High efficiency DC/DC Converters

    冠禹 MOSFET 2021年12月23日
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