



猜你喜欢
-
Trench MOSFET N+P沟道
N-Channel30V/7A,RDS=19mΩ(Typ.) @ VGS=10V,RDS=27mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VPChannel,-30V/-5ARDS=38mΩ (Typ.) @ VGS=-10V,RDS (ON) =53mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V,Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses,Low Capacitance to Minimize Driver Losses
冠禹 MOSFET 2021年12月24日 -
Planar MOSFET
40V/200A,Low RDS (ON),Planar Technology,Reliable and Rugged Synchronous Rectification, High efficiency DC/DC Converters
冠禹 MOSFET 2021年12月23日 -
Super Trench MOSFET
30V/30A,RDS=10mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS=15mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM) SGT Technology Fast Switching Spee100% avalanche tested
冠禹 MOSFET 2021年12月24日 -
Trench MOSFET N沟道
20V/3A,RDS=43mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,RDS=55mΩ(Typ.)@VGS=2.5V,Low RDS (ON),Super High Dense Cell D
冠禹 MOSFET 2021年12月23日