按时间归档：2021年12月

这是一篇小学生写的关于芯片的作文，内容如下：晚饭后，爸爸一如既往地坐在电视机前看着《新闻联播》。但是今天爸爸好像不太开心，“爸爸，你怎么了？”我问道。“美国政府宣布对中国停止供应芯片了，我们的高端芯片领域一直以来依赖进口，这意味着我们很多科技生产领域将受到巨大的影响和严峻的挑战。”爸爸忧心忡忡地回答。我不假思索道：“那我们自己造呗！喷气客机、航空母舰，甚至航天飞船我们都造了，难道一个小小的芯片会难倒我们？”爸爸抚摸着我的脑袋笑着回答：“对！困难只是暂时的，相信我们伟大的祖国，只要我们从技术上追赶…

中国1982年即成立计算机和大型集成电路领导小组办公室，简称“大办”。“大办”上一届主任是马凯，现在是刘鹤。国家层面设立一个产业的领导组织，政策力度已经够大了。针对芯片发展，1990年有908工程，1999年又有909工程，2000年国务院专门发了关于芯片发展的18号文件。 863计划向芯片重点倾斜。十大专项基金设立之后，01号、02号项目都给了芯片。2014年，几十个院士又向国家领导人写信，成立了专门扶持半导体产业的“大基金”，即大型集成电路发展基金，基金第一期募了一千三百亿，当时的工信部财务…

SDC9173是一种单芯片解决方案，设计用于驱动单线圈的混合信号CMOS技术PWM 冷却风扇等无刷直流电机。该设备集成了稳压器、霍尔传感器具有先进的偏移消除系统，一个强大的输出 H 桥全部由复杂的数字控制状态机，全部在一个包中。SDC9173 集成自包含保护功能，可在 SOP-8 封装中使用。 特点 宽工作电压（3.5—16V）,允许通过PWM或直流电压控制 PWM Input：通过PWM输入占空比进行速度控制频率范围从 100Hz到100KHz 可配置的风扇关闭范围 软启动可抑制启动期间的峰值…

电动工具形式多种多样，应用场合也是十分广泛。从早期的有绳电动工具，到后来的基于电池的无绳电动工具，再到最近的智能电动工具的出现，系统设计越来越复杂化和智能化。电动工具要求轴承工作寿命长，振动小、发热量少、噪声低、运转灵活，坚固及耐用等各方面的性能要求都比较严格。温度，材料质量，充分润滑和避免灰尘污染是延长轴承寿命的重要因素。 常见的电动工具：有电钻、电动砂轮机、电动扳手和电动螺丝刀、电锤和冲击电钻、混凝土振动器、电刨等电动工具要求轴承工作寿命长，振动小、发热量少、噪声低、运转灵活，坚固及耐用等各…

中美贸易战以来，芯片成为热词，成为焦点。9月15日，迫于美国技术垄断压力，台积电正式停止为华为麒麟芯片代工。华为花了六百万人民币从台湾包机拉回了最后一批芯片，据说是全体华为高管们集资的钱，台积电也算照顾同胞，把能给的货都给了华为。但华为储存的芯片也只够支撑2021年半年的手机出货量。 最近美国商务部放话，中芯国际要上美国的实体名单。中芯国际在中国刚刚上市，募了二百多亿。如果说中芯国际在上游的设备和技术上出问题，高性能芯片生产将再生变数，前景不妙。在芯片领域，中国基本上没法反制美方制裁，供求和技术…

8位、32位单片机代理商深圳四强科技分享资讯：“芯片为什么这么难。”芯片产业有其独特的内部结构和产业特性。芯片产业链分为五个子链，或者说芯片产业分为五大行业。 第一：设计 数亿的线路如何集成在一起，首先需要设计。芯片设计全球最大的公司是英国ARM，而设计软件，美国EDA居于垄断地位。最近芯片产业最大的新闻是美国英伟达要从英国手里收购ARM，届时美国在芯片产业上将更加强势垄断。华为的海思，设计能力可以达到7纳米。我曾经问华为的副总董明，中国为什么不收购？回答：美欧此类公司，中国永远都不会有收购机会…

30V/30A,RDS=10mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS=15mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM) SGT Technology Fast Switching Spee100% avalanche tested

N-Channel30V/7A,RDS=19mΩ(Typ.) @ VGS=10V，RDS=27mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VPChannel，-30V/-5ARDS=38mΩ (Typ.) @ VGS=-10V，RDS (ON) =53mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V，Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses，Low Capacitance to Minimize Driver Losses

-60V/-2A,RDS=150mΩ(Typ.)@VGS=-10VRDS=210mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V，Low RDS，Super High Dense Cell Design，Reliable and Rugged

20V/3A,RDS=43mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,RDS=55mΩ(Typ.)@VGS=2.5V,Low RDS (ON),Super High Dense Cell D