sqKJ2021512

N-Channel30V/7A,RDS=19mΩ(Typ.) @ VGS=10V，RDS=27mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VPChannel，-30V/-5ARDS=38mΩ (Typ.) @ VGS=-10V，RDS (ON) =53mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V，Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses，Low Capacitance to Minimize Driver Losses

-60V/-2A,RDS=150mΩ(Typ.)@VGS=-10VRDS=210mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V，Low RDS，Super High Dense Cell Design，Reliable and Rugged

20V/3A,RDS=43mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,RDS=55mΩ(Typ.)@VGS=2.5V,Low RDS (ON),Super High Dense Cell D

40V/200A,Low RDS (ON)，Planar Technology，Reliable and Rugged Synchronous Rectification, High efficiency DC/DC Converters

600V/30A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT，电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

600V/6A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。IGBT 驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。

信号高电平有效，兼容 3.3V 和 5V的 MCU，优化并采用了低电磁干扰设计，内置自举二极管，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压 1500V。

600V/10A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。 温度检测：负温度系数热敏电阻检测输出。

信号高电平有效兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 下臂 MOSFET 源极输出，内置自举二极管，内置防直通保护，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压 1500V

600V/20A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。