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20V/3A,RDS=43mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,RDS=55mΩ(Typ.)@VGS=2.5V,Low RDS (ON),Super High Dense Cell D

40V/200A,Low RDS (ON)，Planar Technology，Reliable and Rugged Synchronous Rectification, High efficiency DC/DC Converters

600V/30A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT，电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

600V/6A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。IGBT 驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故障。

信号高电平有效，兼容 3.3V 和 5V的 MCU，优化并采用了低电磁干扰设计，内置自举二极管，内置欠压保护，内部集成温度检测输出，绝缘耐压 1500V。

600V/10A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型 IGBT。高速 600V 电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和 VP1 电源欠压故。输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。 温度检测：负温度系数热敏电阻检测输出。