• 大普恒温晶振(OCXO)

    恒温晶振(OCXO)

    特性 小型化 高稳定性 超低相位噪声 宽温 应用领域 满足Stratum2/3E标准,广泛应用于电信(有线和无线通讯)、航空航天、雷达、工控、导航、测试和测量以及仪器仪表等。

    大普通信 2022年2月15日
  • 大普温补晶振(TCXO)

    温补晶振(TCXO)

    特点:宽温:-40~105°C 高稳±5E-8 低相噪-145dBc/Hz @1KHz 小型化。应用:有线通信,无线通信,电力专网,工业控制,仪器仪表,雷达,电台,智能终

    大普通信 2022年2月15日
  • 光大SDC9173

    SDC9173

    SDC9173是一种单芯片解决方案,设计用于驱动单线圈的混合信号CMOS技术PWM 冷却风扇等无刷直流电机。该设备集成了稳压器、霍尔传感器具有先进的偏移消除系统,一个强大的输出 H 桥全部由复杂的数字控制状态机,全部在一个包中。SDC9173 集成自包含保护功能,可在 SOP-8 封装中使用。 特点 宽工作电压(3.5—16V),允许通过PWM或直流电压控制 PWM Input:通过PWM输入占空比进行速度控制频率范围从 100Hz到100KHz 可配置的风扇关闭范围 软启动可抑制启动期间的峰值…

    光大 2021年12月29日
  • Super Trench MOSFET

    Super Trench MOSFET

    30V/30A,RDS=10mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS=15mΩ(Typ.)@VGS=4.5VExcellent QG x RDS(on) product(FOM) SGT Technology Fast Switching Spee100% avalanche tested

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
  • Trench MOSFET N+P沟道

    Trench MOSFET N+P沟道

    N-Channel30V/7A,RDS=19mΩ(Typ.) @ VGS=10V,RDS=27mΩ(Typ.) @ VGS=4.5VPChannel,-30V/-5ARDS=38mΩ (Typ.) @ VGS=-10V,RDS (ON) =53mΩ (Typ.) @ VGS=-4.5V,Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses,Low Capacitance to Minimize Driver Losses

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
  • Trench MOSFET N+P沟道

    Trench MOSFET P沟道

    -60V/-2A,RDS=150mΩ(Typ.)@VGS=-10VRDS=210mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V,Low RDS,Super High Dense Cell Design,Reliable and Rugged

    冠禹 MOSFET 2021年12月24日
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