• 川土微隔离芯片特点

    CA-IS3720HS替代ADuM120N1BRZ

    川土微CA-IS3720HS替代ADuM120N1BRZ,CA-IS372X是一款高性能2通道数字隔离器具有精确的时序特性和低电源损耗。在隔离CMOS数字I/O时,CA-IS372X器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。 所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。  CA-IS3720器件具有两个前向双通道,CA-IS3721一个前向一个反向两个通道, CA-IS3722和CA-IS3721通道相反,…

    行业动态 2021年8月7日
  • 川土微隔离芯片特点

    川土微隔离芯片特点

    CA-IS35系列CA-IS37系列器件具有高绝缘能力,有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端,导致对敏感电路造成干扰或损坏。同时,高 CMTI 能力可以保证数字信号的正确传输。CA-IS35器件采用8脚窄体SOIC,8 脚宽体SOIC和16脚宽体SOIC 封装。窄体封装的器件支持绝缘耐压 3.75 kVRMS,宽体封装的器件支持绝缘耐压高达5kVRMS。 CS817x2X是低功耗两通道数字隔离器系列产品,采用川土独有的专利技术“Pulse-Coding”,实现70uA/通道的…

    行业动态 2021年8月6日
  • 川土微隔离芯片特点

    CA-IS3720LW替代ISO7820FDW

    川土微CA-IS3720LW替代ISO7820FDW,CA-IS372X是一款高性能2通道数字隔离器具有精确的时序特性和低电源损耗。在隔离CMOS数字I/O时,CA-IS372X器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。 所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。  CA-IS3720器件具有两个前向双通道,CA-IS3721一个前向一个反向两个通道, CA-IS3722和CA-IS3721通道相反,具有一个反向一个前向两个…

    行业动态 2021年8月6日
  • 川土微隔离芯片特点

    CA-IS3720LW替代ISO7720FDW

    川土微CA-IS3720LW替代ISO7720FDW,CA-IS372X是一款高性能2通道数字隔离器具有精确的时序特性和低电源损耗。在隔离CMOS数字I/O时,CA-IS372X器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。 所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。  CA-IS3720器件具有两个前向双通道,CA-IS3721一个前向一个反向两个通道, CA-IS3722和CA-IS3721通道相反,具有…

    行业动态 2021年8月5日
  • 川土微隔离芯片特点

    CA-IS3720LW替代ADuM2285BRIZ

    川土微CA-IS3720LW替代ADuM2285BRIZ,CA-IS372X是一款高性能2通道数字隔离器具有精确的时序特性和低电源损耗。在隔离 CMOS 数字I/O时,CA-IS372X器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。 所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2) 绝缘栅隔离。  CA-IS3720器件具有两个前向双通道,CA-IS3721一个前向一个反向两个通道, CA-IS3…

    行业动态 2021年8月5日
  • 川土微隔离芯片特点

    CA-IS3720LW替代ADuM220N0BRWZ

    川土微CA-IS3720LW替代ADuM220N0BRWZ,CA-IS372X是一款高性能2通道数字隔离器具有精确的时序特性和低电源损耗。在隔离CMOS数字I/O时,CA-IS372X器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。 所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。  CA-IS3720器件具有两个前向双通道,CA-IS3721 一个前向一个反向两个通道, CA-IS3722和CA-IS3721通道相反,具有一个反向一个…

    行业动态 2021年8月4日
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