sqKJ2021512

产品特性 ◆ ARM 32-bit Cortex®-M0 CPU (64 MHz MAX) ◆ 存储器 ➢ 128K 字节Flash memory➢ 16K字节的SRAM ◆ CRC计算单元 ➢ 复位和供电管理➢  电压范围：2.0- 5.5V➢ 上电/掉电复位(POR/PDR)➢ 可编程电压检测器(LVD) ◆ 时钟部分 ➢ 外部4到24MHz振荡器➢ 外部32.768KHz RTC振…

概括：CA51F652系列芯片是基于1T8051内核的微控制器，通常情况下运行速度比传统的8051芯片快10倍，性能更加优越。芯片内置16KBFlash程序存储器，可多次重复编程，以及1280ByteSRAM方便客户开发丰富的应用。芯片内置26路12BitADC、 26路触摸按键（不需外接电容）、6路16BitPWM支持互补和防死区功能； 还内置了1个I2C、2个UART、SPI等功能模块。支持PWM、I2C、UART外设可以映射到任意管脚，9个大灌电流管脚，支持LED点阵扫描LED屏双扫显示功…

概括：CA51M720系列芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器，不仅保留了传统8051芯片的基本特性，通常情况下运行速度比传统的8051芯片快10倍，性能更加优越。芯片内置4KB MTP程序存储器，256Byte内部RAM，256Byte外部RAM及512Byte EEPROM。还集成了14路12 Bit ADC、3路16 Bit PWM、1路硬件LED_RGB级联控制、1路I2C、1路UART、低电压检测(LVD)等功能模块。支持IDLE、STOP和低速运行三种省电模式以适应不同功耗要求…

概括：CA51M550 系列芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器，不仅保留了传统8051芯片的基本特性，通常情况下运行速度比传统的 8051 芯片快 10 倍，性能更加优越。芯片内置 4KB MTP 可多次擦写程序存储器及512Byte EEPROM用于保存掉电数据。256Byte内部RAM，128Byte外部RAM；还集成了6路触摸按键（不需外接电容）、4路16位PWM、 1组I2C、1组UART可用于外设通讯、32级低电压检测(LVD)精度高达0.1V每级，可用于检测电池电压；内置RG…

概况：CA51M020系列芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器，不仅保留了传统8051芯片的基本特性，通常情况下运行速度比传统的8051芯片快10倍，性能更加优越。芯片内置4KB MTP程序存储器，256Byte内部RAM，256Byte外部RAM及512Byte EEPROM。还集成了18路12 Bit ADC、3路16 Bit PWM、1路硬件LED_RGB级联控制、1路I2C、1路UART、低电压检测(LVD)等功能模块。支持IDLE、STOP和低速运行三种省电模式以适应不同功耗要求…

概括：CA51M151 系列芯片是基于 1T 8051 内核的 8 位微控制器，不仅保留了传统8051 芯片的基本特性，通常情况下运行速度比传统的 8051 芯片快 10 倍，性能更加优越。芯片内置 8 KB MTP 程序存储器，256Byte内部RAM，512Byte 外部 RAM 及 512Byte EEPROM。还集成了 26 路 12 位 ADC、26 路Touch Key（不需外接电容）、16 位 PWM、 I2C、2 路 UART、SPI、TMC、低电压检测(LVD)等功能模块。支持…

CA51F155系列选型表 内置 64KB Flash 程序存储器，可多次重复编程，以及 2KB SRAM 方便客户开发复杂的应用。还集成了 46 路 12 Bit ADC、 46 路 Touch Key（无需外接电容）、6 路 16 Bit PWM、 最大支持 8com x 32seg LCD/LED 驱动、I2C、UART、SPI、TMC、低电…

32 位 ARM Cortex-M0处理器，32KB Flash、4KB RAM、30个快速I/O、10个定时器、5个通信接口

LCP037B系列是32位内核的面向电机控制等应用领域的高性能处理器，同时集成了三相半桥栅极驱动模块，可直接驱动6个N型MOSFET。

LCP037A系列是32位内核的面向电机控制等应用领域的高性能处理器，同时集成了三个独立PMOS、三个独立NMOS栅极驱动输出和输出为5.0V，30mA LDO集成芯片。