中国芯片传来消息：狂砸1550亿后收获成果，有望打破国外垄断！
自从集成电路半导体芯片被研发出来以后，它就在我们的生活中发挥着极其重要的作用；半导体芯片作为现代科技领域发展的顶级智慧结晶，可以说芯片也代表着现代科技的发展水平，虽然说一颗小小的芯片看上去并不起眼，但是在芯片里边却包含着成千上亿的晶体管线路，想要研发和生产出一颗芯片也并不是那么容易的！
目前我们所熟知的芯片主要是智能手机和电脑的中央处理器芯片，也就是我们常说的CPU，其实在电脑和手机里，除了CPU芯片以外，还有GPU以及闪存芯片等等，可以说不同的芯片所负责的任务都是不一样的；这些年来，我国在半导体芯片领域起步较晚，基础较为薄弱，再加上国外对相关技术的封锁，所以也导致我们始终都没能生产出先进的半导体芯片来！
虽然说在芯片领域我们比较落后，但是这也并不意味着我们在芯片领域就没有布局，目前华为已经在芯片设计领域取得了一定的成功，华为海思半导体芯片部门已经跻身为全球排名前10的芯片设计企业行列之中；而在芯片生产领域，华为也已经进行了一定的布局。
还有中科院等众多国产科技企业都在布局芯片的研发和生产领域，不过这些企业所布局的芯片领域都是以CPU为主，而在闪存芯片领域，其实我们已经取得了一定的突破！
闪存芯片看似很不起眼，也没有CPU那么重要，但是这一存储芯片也同样是智能手机和电脑等领域都必不可少的一个元器件，为了能加快我国在存储芯片领域的发展，早在上个世纪的还是，我们就已经在存储芯片领域进行了布局，而长江存储就是我国在存储芯片领域的佼佼者！
据悉，长江存储这些年来一直都在研发存储芯片，并努力实现量产，根据最新的消息显示，在狂砸1550亿后，长江存储也终于在存储芯片领域收获了成果，长江存储即将开始对192层的3D NAND闪存芯片进行试产，而长江存储所试产的NAND闪存芯片技术已经达到了全球领先水平。
此前在NAND闪存芯片领域里，大部分的市场份额都被美国美光公司和韩国三星公司给垄断，而现在我们在这一领域取得突破以后，我们也将打破国外对NAND闪存芯片的垄断！
虽然说美光和三星在NAND闪存芯片领域的实力都十分的强悍，但是这一次长江存储所试产的192层的3D NAND闪存芯片却要领先它们一代，目前美光和三星的工艺技术主要还停留在128层的3D NAND闪存芯片水平上，这也就意味着我们将在NAND闪存芯片领域完全领先三星和美光。
没想到在芯片领域我们能再一次地实现弯道超车，这也证明了国产科技企业的研发实力，相信随着越老越多科技企业的不断努力，未来在CPU等芯片领域我们也一定能取得突破。
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